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HSSK8402
1个N沟道+1个P沟道 耐压:65V 电流:0.13A
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- 描述
- HSSK8402采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSK8402
- 商品编号
- C22359214
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.4pF |
商品概述
HSSK8402采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以实现极低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
应用领域
- PWM应用-负载开关