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MC14106BDG
六路施密特触发反相器
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- 描述
- 由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。可代替MC14069UB六反相器以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行整形。该器件包含保护电路，可防止因高静态电压或电场造成的损坏。为使器件正常工作，Vin和Vout应限制在VSS ≤ (Vin或Vout) ≤ VDD的范围内。未使用的输入必须始终连接到适当的逻辑电压电平（例如，VSS或VDD），未使用的输出必须保持开路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC14106BDG
- 商品编号
- C233579
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 反相器 | |
| 输入类型 | 施密特触发器 | |
| 工作电压 | 3V~18V | |
| 静态电流(Iq) | 1uA | |
| 通道数 | 6 | |
| 输入数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 8.8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 8.8mA | |
| 输入高电平(VIH) | 3.6V~10.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 900mV~4V | |
| 传播延迟(tpd) | 80ns@15V,50pF | |
| 系列 | 4000B系列 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
MC14106B六通道施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件构建在一个单一的单片结构中。这些器件主要应用于需要低功耗和/或高噪声抗扰度的地方。MC14106B可以用来替代MC14069UB六通道逆变器，以增强噪声抗扰度或将缓慢变化的波形“整形”。
该器件包含保护电路，以防因高静电电压或电场而损坏。但是，必须采取预防措施，避免将任何高于最大额定电压的电压施加到这个高阻抗电路上。为了正常工作，Vin和Vout应限制在VSS ≤ (Vin或Vout) ≤ VDD范围内。
未使用的输入端必须始终连接到适当的逻辑电压电平（例如，VSS或VDD）。未使用的输出端必须保持开路。
商品特性
- 增加的滞后电压超过MC14584B
- 电源电压范围 = 3.0 Vdc 至 18 Vdc
- 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载
- 与CD40106B和MM74C14引脚兼容
- 可用于替代MC14584B或MC14069UB
- NLV前缀适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用；符合AEC-Q100标准并具备PPAP能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 单稳态多谐振荡器
- 无稳态多谐振荡器
- 积分器
- 边沿检测电路
- 微分器
- 正边沿延时电路