MC14050BDR2G
MC14050BDR2G
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- 描述
- 由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单个单片结构中构建而成。这些互补MOS器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压VDD即可实现逻辑电平转换。输入信号高电平(VIH)可以超过VDD电源电压以进行逻辑电平转换。当这些器件用作CMOS到TTL/DTL转换器时,可以驱动两个TTL/DTL负载(VDD = 5.0V,VOL ≤ 0.4V,IOL ≥ 3.2mA)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC14050BDR2G
- 商品编号
- C233573
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 缓冲器/驱动器/收发器 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | - | |
| 工作电压 | 3V~18V | |
| 元件数 | 6 | |
| 每个元件位数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 40mA | |
| 拉电流(IOH) | 10mA | |
| 系列 | 4000B | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 1uA | |
| 传播延迟(tpd) | 80ns@5V,50pF |
