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MC14050BDR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC14050BDR2G

MC14050BDR2G

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描述
由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单个单片结构中构建而成。这些互补MOS器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压VDD即可实现逻辑电平转换。输入信号高电平(VIH)可以超过VDD电源电压以进行逻辑电平转换。当这些器件用作CMOS到TTL/DTL转换器时,可以驱动两个TTL/DTL负载(VDD = 5.0V,VOL ≤ 0.4V,IOL ≥ 3.2mA)。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MC14050BDR2G
商品编号
C233573
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录缓冲器/驱动器/收发器
输入类型-
输出类型-
工作电压3V~18V
元件数6
每个元件位数1
属性参数值
灌电流(IOL)40mA
拉电流(IOH)10mA
系列4000B
工作温度-55℃~+125℃
静态电流(Iq)1uA
传播延迟(tpd)80ns@5V,50pF

数据手册PDF