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2N5003
1个N沟道 耐压:50V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 符合人体模型 JESD22-A114-B 2 类 ESD 等级。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：N 沟道增强型效应晶体管。 开关应用
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- 2N5003
- 商品编号
- C21882561
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
HGD032N04A是采用高密度沟槽技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和PWM应用。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 低导通电阻
- 符合人体模型的JESD22-A114-B标准,静电放电(ESD)等级为2级
- 高速开关
- 驱动电路简单
- 易于并联使用
应用领域
- N沟道增强型效应晶体管
- 开关应用