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BL3400
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.7A
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- 描述
- 特性：静电敏感设备。 VDS(V) = 30V。 ID = 5.7A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 26.5mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 48mΩ (VGS = 2.5V)。应用：开关应用
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- BL3400
- 商品编号
- C21882577
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- 静电敏感器件。
- 漏源电压 (VDS) = 30 V
- 漏极电流 (ID) = 5.7 A(栅源电压 VGS = 10 V)
- 导通电阻 RDS(ON) < 26.5 mΩ(栅源电压 VGS = 10 V)
- 导通电阻 RDS(ON) < 32 mΩ(栅源电压 VGS = 4.5 V)
- 导通电阻 RDS(ON) < 48 mΩ(栅源电压 VGS = 2.5 V)
应用领域
- N沟道增强型场效应晶体管。
- 开关应用。