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BL3415
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：静电敏感设备。 VDS(V) = -20V。 ID = -4A。 RDS(ON) < 50mΩ（VGS = -4.5V）。 RDS(ON) < 70mΩ（VGS = -2.5V）。 RDS(ON) < 100mΩ（VGS = -1.8V）。应用：P沟道增强型效应晶体管。 开关应用
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- BL3415
- 商品编号
- C21882616
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 静电敏感器件。
- 漏源电压(V) = -20 V
- 漏极电流 = -4 A
- 导通电阻 < 50 mΩ(栅源电压 = -4.5 V)
- 导通电阻 < 70 mΩ(栅源电压 = -2.5 V)
- 导通电阻 < 100 mΩ(栅源电压 = -1.8 V)
应用领域
- 开关应用。