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2SK3018
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动(2.5V)，适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用：接口、开关 (30V, 100mA)
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- 2SK3018
- 商品编号
- C21882637
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
4616是高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4616符合RoHS和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 低导通电阻。
- 快速开关速度。
- 低电压驱动(2.5V)使该器件非常适合便携式设备。
- 驱动电路易于设计。
- 易于并联。
应用领域
- 接口、开关(30V,100mA)