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2N7002KDW
2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- 2N7002KDW
- 商品编号
- C21882620
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
30G20F是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS保证，具备全面功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON),VGS@10 V,IDS@500 mA时为3 Ω
- RDS(ON),VGS@4.5 V,IDS@200 mA时为4 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电(ESD)防护2KV人体模型(HBM)
- 元件符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令