NLAS4599DTT1G
低电压单极双掷模拟开关 单 SPDT 模拟开关单电源
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描述
NLAS4599 是一种先进的高速 CMOS 单刀双掷模拟开关,采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现高速传播延迟和低导通电阻,同时能够保持低功耗。此开关控制在完整电源范围(从 VCC 到 GND)内变化的模拟和数字电压。该器件设计比传统 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 低很多,基于输入电压的线性也更强。该沟道选择输入兼容标准的 CMOS 输出;带有上拉电阻器,可兼容 LSTTL 输出。沟道选择输入结构在应用 0 - 5.5 V 的电压时提供保护,而无论电源电压如何。此输入结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NLAS4599DTT1G商品编号
C233205商品封装
TSOP-6-1.5mm包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
开关电路 | 单刀双掷(SPDT) | |
通道数 | 1 | |
工作电压 | 2V~5.5V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通时间(Ton@max) | 30ns | |
导通电阻(Ron@VCC) | 35Ω | |
关闭时间(Toff@max) | 30ns | |
工作温度 | -55℃~+125℃ |
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