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IXTK82N25P-JSM
1个N沟道 耐压:250V 电流:90A
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- 描述
- N沟道 耐压:250V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):550W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,30A
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IXTK82N25P-JSM
- 商品编号
- C21714346
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 550W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 367nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.784nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 561pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 893pF |
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