温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NP36P06KDG-E1-AY-JSM
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P沟道 耐压:-60V 电流:-50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-50A 功率(Pd):270W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16.5mΩ@10V,20A
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NP36P06KDG-E1-AY-JSM
- 商品编号
- C21714362
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -60V, ID = -50A, RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -10V
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。