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AOB409L-JSM

1个P沟道 耐压:60V 电流:35A

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描述
P沟道 耐压:-60V 电流:-35A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-35A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,17.5A
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
AOB409L-JSM
商品编号
C21714357
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
1.646克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)1.489nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)280pF

商品概述

IRFB3607PBF-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品IRFB3607PBF-ES为无铅产品。

商品特性

  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)
  • 功率因数校正 (PFC)

数据手册PDF