温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK3476(TE12L,Q
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A 停产
- 描述
- RF用途,N沟道,20V,3A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3476(TE12L,Q
- 商品编号
- C224377
- 商品封装
- 2-5N1A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V@2mA | |
| 输入电容(Ciss) | 53pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
应用领域
- 甚高频（VHF）和超高频（UHF）频段放大器应用
- 通信设备的高频功率放大器