ULN2004ADR
高压大电流达林顿晶体管阵列
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- ULN2004A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- ULN2004ADR
- 商品编号
- C21657
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 通道数 | 七路 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 最大输入电压(VI) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -20℃~+70℃ | |
| 集电极漏电流(Icex) | 50uA | |
| 正向压降(Vf) | 1.7V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA | |
| 输入电容(Ci) | 15pF |
晶体管类型:7 NPN 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交100+单
