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IRLU8729PBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺，适用于LED照明控制、电动工具、电池管理系统等领域。TO251；N—Channel沟道,30V；50A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLU8729PBF-VB
- 商品编号
- C20626317
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 超级沟槽技术功率MOSFET
- 出色的栅极电荷x导通电阻Rds(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻Rds(on)
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 直流-直流转换器原边开关-电信/服务器-电机驱动控制-同步整流