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IRFP048NPBF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域的功率电子应用。TO247；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFP048NPBF-VB
- 商品编号
- C20626328
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.196nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的栅漏电荷（Qgd）可降低穿越平台电压（Vplateau）时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 次级同步整流
- DC/DC转换器
- 电动工具
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电池管理