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SIR882DP-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:95A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIR882DP-VB
- 商品编号
- C20626336
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 引脚至焊盘爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度达 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本
- 符合 RoHS 标准
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