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FDC3612-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要低功耗、小封装和可靠性能的领域和模块。SOT23-6；N—Channel沟道,100V；3.2A；RDS(ON)=95mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDC3612-VB
- 商品编号
- C20626332
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0229克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V；105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准
- 沟槽式功率MOSFET
- 低导通电阻
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-直流/直流转换器-高速开关
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