SI7212DN-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:26A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于高性能功率控制和开关应用。QFN8(3X3)；2个N—Channel沟道,30V；26A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI7212DN-VB

商品编号

C20626331

商品封装

DFN-8(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.19克(g)