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SI4090DY-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道单晶硅器件，采用Trench技术，适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。SOP8；N—Channel沟道,100V；15.5A；RDS(ON)=8.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4090DY-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C20626312
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 790pF |
商品特性
- 超级沟槽技术功率MOSFET
- 出色的栅极电荷x导通电阻Rds(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻Rds(on)
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
-直流-直流转换器原边开关-电信/服务器-电机驱动控制-同步整流