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IRLZ24PBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLZ24PBF-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:12A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLZ24PBF-VB
商品编号
C20626252
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.66克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))72mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)640pF
反向传输电容(Crss)79pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)360pF

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