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U3216C
大电流IO ±2.0/2.5A半桥驱动器
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- 描述
- U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U3216C
- 商品编号
- C20626023
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 320ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
U3215C/U3216C是一款完全工作电压可达+600V的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑电平可低至3.3V。输出驱动器级具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动级交叉导通。浮置通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮置通道
- 完全工作电压可达+600V
- 耐受负瞬态电压，对dV/dt噪声免疫
- 栅极驱动电源电压范围从5V到20V
- 欠压锁定，兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 交叉导通预防逻辑
- 双通道匹配的传播延迟
应用领域
- 家用电器
- 工业应用与驱动
- 电机驱动
- 感应加热
- 暖通空调