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U3116C

功率MOSFET/IGBT半桥驱动器

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描述: U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
品牌名称: UNI-SEMIC(宇力半导体)
商品型号: U3116C
商品编号: C20626025
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.17275克(g)

商品参数

商品概述

U3115C/U3116C 是一款可在高达 +350V 电压下完全运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 350V。

商品特性

集成自举二极管
浮动通道专为自举操作而设计
可在高达 +350V 电压下完全运行
耐受负瞬态电压，具备 dV/dt 抗扰能力
栅极驱动电源范围为 5 至 20V
欠压锁定功能
与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
交叉导通预防逻辑
双通道匹配的传播延迟

应用领域

家用电器
工业应用与驱动器
电机驱动器
直流 - 交流转换器、永磁直流 (PMDC) 和永磁交流 (PMAC) 电机
感应加热
暖通空调 (HVAC)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	4.5V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	25ns
	传播延迟 tpLH	450ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	静态电流(Iq)	70uA