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AGM60P30AP
P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- AGM60P30AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P30AP
- 商品编号
- C20625923
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- 功率因数校正（PFC）
- 镇流器