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AGM1030MA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- AGM1030MA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM1030MA
- 商品编号
- C20625930
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1261克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V；100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W；69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA；1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V；12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 445pF；700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF；8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF；56pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。该先进技术经过特殊设计，可最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 85 A
- RDS(ON)典型值 = 6.8 mΩ（VGS = 10 V时）
- RDS(ON)典型值 = 8.8 mΩ（VGS = 4.5 V时）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC、AC/DC电流开关-电源管理-电机驱动、快速/无线充电