温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGMH70N70C
耐压:68V 电流:69A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGMH70N70C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH70N70C
- 商品编号
- C20625938
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 103W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |