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AGM310AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:22A
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- 描述
- AGM310AS将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM310AS
- 商品编号
- C20625941
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 新型低热阻封装
- 脉宽调制（PWM）优化
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关