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AGM318MAP
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- AGM318MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM318MAP
- 商品编号
- C20625943
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0482克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V；19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 441pF；690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF；91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF；104pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备-负载开关-电池开关-充电器开关