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MBQ75T65PEHTH
Field Stop Trench技术IGBT，适用于电机控制，低EMI
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MBQ75T65PEHTH
- 商品编号
- C20611992
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.9nF | |
| 输出电容(Coes) | 230pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 158pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 38ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 156ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.69mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.75mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 181ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
这款IGBT采用先进的美格纳半导体（Magnachip）场截止沟槽IGBT技术生产，具备高性能、卓越品质和高耐用性。
商品特性
- 适用于电机控制的高耐用性
- VCE(sat)正温度系数
- 非常软且快速恢复的反并联二极管
- 低电磁干扰
- 最高结温175℃
应用领域
- 光伏逆变器
- UPS电源
- 电焊机