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MBQ40T65QESTH
650V场截止型绝缘栅双极晶体管
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- 描述
- 此IGBT采用先进的场截止沟槽IGBT技术生产，具有高开关速度和卓越品质。
- 品牌名称
- MagnaChip
- 商品型号
- MBQ40T65QESTH
- 商品编号
- C20613157
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 输出电容(Coes) | 120pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@40mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.565nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 6ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 55ns | |
| 导通损耗(Eon) | 500uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 400uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 72ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 37pF |
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