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1N60G
1个N沟道 耐压:600V 电流:1A
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- 描述
- 该消费级MOSFET采用SOT-223封装，具备N沟道特性，拥有600V的高耐压及1A的连续电流处理能力，适用于各类中高压电子设备，提供卓越的开关性能与低损耗
- 商品型号
- 1N60G
- 商品编号
- C20611923
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 119pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
极低导通电阻RDS(ON) 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson 具备完整雪崩电压和电流特性 采用SOT23-6L表面贴装封装。
商品特性
- VDS = 20V
- ID = 4A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON)典型值为22mΩ
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON)典型值为28mΩ
应用领域
- 电源开关应用-PWM应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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