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1N60G
1个N沟道 耐压:600V 电流:1A
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- 描述
- 该消费级MOSFET采用SOT-223封装，具备N沟道特性，拥有600V的高耐压及1A的连续电流处理能力，适用于各类中高压电子设备，提供卓越的开关性能与低损耗
- 商品型号
- 1N60G
- 商品编号
- C20611923
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 119pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
1N60G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 600V,ID = 1A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 12 Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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