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AO3407A-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用小巧的SOT-23封装，专为高效电源管理和负载开关应用设计。额定电压高达30V，持续电流可达4.1A，是低电压、大电流解决方案的理想选择，适用于各类便携式和空间受限电子设备的电路控制。
- 商品型号
- AO3407A-HXY
- 商品编号
- C20611925
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
AO3407A采用先进的沟槽技术，可实现出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且栅极电压低至2.5V时仍可正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = - 30V，漏极电流（ID） = - 4.1A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 56 mΩ
应用领域
- 高功率和大电流处理能力
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理