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2N7002BDW
N沟道及N沟道互补MOSFET
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- 2N7002BDW
- 商品编号
- C20599358
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
PXAE263708NB是一款400瓦（P₃dB）的LDMOS场效应晶体管，适用于2620至2690 MHz频段的多标准蜂窝功率放大器应用。其特性包括输入和输出匹配、高增益以及带无耳法兰的散热增强型封装。该器件采用先进的LDMOS工艺制造，具有出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 宽带内部输入和输出匹配
- 非对称Doherty设计
- 主路：P₁dB = 典型值140 W
- 峰值：P₁dB = 典型值260 W
- P₁dB时的输出功率 = 200 W
- P₃dB时的输出功率 = 400 W
- 效率 = 49%（Pₒᵤₜ = 平均57 W）
- 增益 = 15 dB（Pₒᵤₜ = 平均57 W）
- 能够承受10:1的电压驻波比，条件为32 V、100 W（连续波）输出功率
- 集成静电放电保护
- 人体模型2级（符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准）
- 低热阻
- 无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 多标准蜂窝功率放大器应用