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2N7002KDWHQ
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 采用法国功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。后缀为“Q”的产品表示符合AEC-Q101标准
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- 2N7002KDWHQ
- 商品编号
- C20599367
- 商品封装
- SOT-323(SC-70)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@4.5V；1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
商品特性
- 静电放电（ESD）保护能力高达2.0 kV（人体模型，HBM）
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 12V、24V汽车系统
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