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2N7002KCT
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- 2N7002KCT
- 商品编号
- C20599364
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@4.5V；1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 湿度敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 第四代技术
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态RDS(on)eff生产测试
- 稳健设计，具体表现为
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷（QRR）
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
-电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS