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2N7002KCT
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- 2N7002KCT
- 商品编号
- C20599364
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@4.5V；1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品概述
TP65H480G4JSGB 650V、480mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）是一款采用Transphorm第四代平台的常关型器件。它将先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）与低压硅MOSFET相结合，提供卓越的可靠性和性能。 第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术，简化了可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷，提高了相对于硅器件的效率。
商品特性
- 第四代技术
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态RDS(on)eff生产测试
- 稳健设计，具体表现为
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷（QRR）
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
- 消费类-电源适配器-低功率开关电源(SMPS)-照明