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2N7002KDHQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术；压控小信号开关；低输入电容；快速开关速度；低输入/输出漏电流
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- 2N7002KDHQ
- 商品编号
- C20599366
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0445克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 520mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 湿度敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS