MT46H8M16LFCF-10 IT TR
128Mb 8Meg X 16 移动型 DDR SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT46H8M16LFCF-10 IT TR
- 商品编号
- C20524557
- 商品封装
- 60-VFBGA (8x10)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | - | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品概述
128Mb移动DDR SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含134,271,728位。它内部配置为四体DRAM。每个33,554,432位的体被组织为4,096行×512列×16位。128Mb移动DDR SDRAM采用双倍数据速率架构来实现高速操作。双倍数据速率架构本质上是一种2n预取架构，其接口设计为在I/O引脚处每个时钟周期传输两个数据字。对于128Mb DDR SDRAM，一次读写访问实际上包括在内部DRAM核心进行一次2n位宽、一个时钟周期的数据传输，以及在I/O引脚处进行两次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。双向数据选通（DQS）在外部传输。
商品特性
- VDD/VDDQ = +1.8V ± 0.1V
- 每字节数据有双向数据选通（DQS）
- 内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构；每个时钟周期进行两次数据访问
- 差分时钟输入（CK和CK#）
- 在每个CK正沿输入命令
- 读取时DQS与数据边缘对齐；写入时DQS与数据中心对齐
- 四个内部体用于并发操作
- 数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据，每字节一个掩码
- 可编程突发长度：2、4或8
- 支持并发自动预充电选项
- 自动刷新和自刷新模式
- 1.8V LVCMOS兼容输入
- 片上温度传感器用于控制刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动（DS）
- 时钟停止功能