MT46H64M32L2JG-5 IT:A
168 球 x16、x32 移动 LPDDR PoP 移动 DDR SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT46H64M32L2JG-5 IT:A
- 商品编号
- C20477685
- 商品封装
- VFBGA-168(12x12)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 200MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品概述
此封装内包含的1Gb移动LPDDR芯片是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含1073741824位。它内部配置为四组DRAM。x16的每个268435456位组被组织为16384行×1024列×16位。x32的每个268435456位组被组织为8192行×1024列×32位。
商品特性
- Vdd/Vddq = 1.70 ~ 1.95V
- 每个数据字节配备双向数据选通（DQS）
- 内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构；每个时钟周期进行2次数据访问
- 差分时钟输入（CK和CK#）
- 每个CK正沿输入命令
- 读取时DQS与数据边缘对齐；写入时DQS与数据中心对齐
- 4个内部组用于并发操作
- 数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据，每个字节一个掩码
- 可编程突发长度（BL）：2、4、8或16
- 支持并发自动预充电选项
- 自动刷新和自刷新模式
- 1.8V LVCMOS兼容输入
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 深度掉电（DPD）
- 支持状态读取寄存器（SRR）
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止功能
- 64ms刷新
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