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MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR实物图
  • MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR

2Gb:X16,x32 移动型 LPDDR SDRAM

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
商品编号
C20480520
商品封装
168-VFBGA (12x12)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR SDRAM
时钟频率(fc)200MHz
存储容量8Gbit
属性参数值
工作电压1.7V~1.95V
工作温度-25℃~+85℃
功能特性自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能

商品特性

  • VDD / VDDQ电压范围为1.70 - 1.95V
  • 每个数据字节配备双向数据选通信号（DQS）
  • 采用内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构，每个时钟周期进行两次数据访问
  • 差分时钟输入（CK和CK#）
  • 在每个CK正沿输入命令
  • 读取时DQS与数据边缘对齐，写入时DQS与数据中心对齐
  • 4个内部存储体可并发操作
  • 数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据，每字节一个掩码
  • 可编程突发长度（BL）：2、4、8或16
  • 支持并发自动预充电选项
  • 具备自动刷新和自刷新模式
  • 1.8V LVCMOS兼容输入
  • 温度补偿自刷新（TCSR）
  • 部分阵列自刷新（PASR）
  • 深度掉电（DPD）
  • 状态读取寄存器（SRR）
  • 可选输出驱动强度（DS）
  • 时钟停止功能
  • 64ms刷新周期，汽车温度范围为32ms

数据手册PDF

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