MT41J256M8HX-15E AAT:D
1Gb X4、X8、X16 DDR3 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT41J256M8HX-15E AAT:D
- 商品编号
- C20480843
- 商品封装
- 78-FBGA (9x11.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 667MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.425V~1.575V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = +1.5V ± 0.075V
- 1.5V中心端接推挽式I/O
- 差分双向数据选通
- 8n位预取架构
- 差分时钟输入（CK，CK#）
- 8个内部存储体
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片内端接（ODT）
- CAS（读）延迟（CL）：5、6、7、8、9、10或11
- 后置CAS附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
- CAS（写）延迟（CWL）：基于tCK为5、6、7、8
- 固定突发长度（BL）为8，突发截断（BC）为4（通过模式寄存器组[MRS]）
- 可动态选择BC4或BL8
- 自刷新模式
- 温度范围Tc为0°C至95°C
- 在0°C至85°C时，64ms内进行8192次刷新
- 在85°C至95°C时，32ms内进行刷新
- 时钟频率范围为300 - 800MHz
- 自刷新温度（SRT）
- 自动自刷新（ASR）
- 写电平调整
- 多用途寄存器
- 输出驱动器校准
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