MT40A512M8HX-083E:A
4Gb: X4, x8, X16 DDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A512M8HX-083E:A
- 商品编号
- C20480563
- 商品封装
- 78-FBGA (9x11.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.2GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.14V~1.26V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V，-125mV / +250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 工作温度范围为0°C ~ 95°C
- 在0°C ~ 85°C时，64ms内进行8192次刷新
- 在85°C ~ 95°C时，32ms内进行刷新
- 16个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共4组
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前导码
- 数据选通前导码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器读写能力
- 写和读电平调整
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、停放和动态片上终端（ODT）
- 数据总线反转（DBI）用于数据总线
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址
- 连接性测试（x16）
- 封装后修复（PPR）和软封装后修复（sPPR）模式
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
- FCQ38999/26FE35PDMIL-STD-461
- FCQ38999/24MG41SNMIL-STD-461
- ACC06CF24-7P-025-LC
- IS61NLP51236-200TQLI-TR
- AG9705-2BR
- GTC06R20-3SY-023-LC
- GTC06F32-13SZ-LC
- FCQ38999/24FJ61SEMIL-STD-461
- GTC06LCF32A29P-025-B30-LC
- FCQ38999/20J37AEMIL-STD-461
- GTC08F32-57S-B30-LC
- IS42S32160C-6BL-TR
- FCQ38999/26ZG39SNMIL-STD-461
- GTC01-28-AYPW-B30-LC
- IS61LPS204818A-166TQL-TR
- IS61LV12824-10TQ-TR
- ACC06A24-AJP-003-B30-LC
- ACC02A16-7RW-003-LC
- FCQ38999/20GD5BBMIL-STD-461
- FCQ38999/24TD15PDMIL-STD-461
- GTCL00-18-23P-B30-LC