MT41J1G4THD-15E:D

4Gb:x4,x8 双芯片 DDR3 SDRAM

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT41J1G4THD-15E:D
商品编号: C20479476
商品封装: 78-FBGA (9x11.5)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	162mA
	刷新电流	24mA
	工作温度	0℃~+95℃
	功能特性	自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

4Gb TwinDie™ DDR3 SDRAM采用美光的2Gb DDR3芯片，功能类似。本数据手册包含关键时序参数、引脚分配、功能描述、功能框图、IDD规格和封装尺寸等信息。4Gb（TwinDie）DDR3 SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储设备，包含4,294,967,296位，内部配置为两个8存储体的2Gb DDR3 SDRAM。DDR3 SDRAM采用双倍数据速率架构实现高速运行，差分数据选通信号（DQS、DQS#）与数据一起外部传输，用于DDR3 SDRAM输入接收器的数据捕获。对DDR3 SDRAM的读写访问是突发式的，访问从选定位置开始，按编程顺序继续访问编程数量的位置。

商品特性

使用美光2Gb芯片
两个存储体（包括双CS#、ODT、CKE和ZQ引脚）
每个存储体有8个内部存储体
VDD = VDDQ = +1.5V ± 0.075V
1.5V中心端接推挽式I/O
JEDEC标准引脚布局
薄型封装
工作温度范围：0°C至95°C
0°C至85°C：64ms内进行8192次刷新周期
85°C至95°C：32ms内进行8192次刷新周期

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3 SDRAM
	时钟频率(fc)	667MHz
	存储容量	4Gbit
	工作电压	1.425V~1.575V