立创商城logo
购物车0
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C

x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C
商品编号
C20450508
商品封装
200-TFBGA (10x14.5)​
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量64Gbit
工作电压1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流-
刷新电流-
工作温度-40℃~+125℃
功能特性写入均衡功能;自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能

商品特性

  • 本数据手册规定了统一LPDDR4和LPDDR4X产品的操作,并首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的具体要求。当将产品用作LPDDR4设备时,请参阅本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V VDDQ。
  • 超低电压核心和I/O电源供应
  • VDD1 = 1.70 - 1.95V;标称值1.80V
  • VDD2 = 1.06 - 1.17V;标称值1.10V
  • VDDQ = 0.57 - 0.65V;标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17V;标称值1.10V
  • 频率范围:2133-10 MHz(每引脚数据速率范围:4266-20 Mb/s)
  • 16n预取DDR架构
  • 每个通道8个内部存储体用于并发操作
  • 单数据速率CMD/ADR输入
  • 每字节通道双向/差分数据选通
  • 可编程读取和写入延迟(RL/WL)
  • 可编程和动态突发长度(BL = 16, 32)
  • 定向每存储体刷新,用于并发存储体操作和简化命令调度
  • 每芯片x16通道高达8.5 GB/s
  • 片上温度传感器以控制自刷新速率
  • 部分阵列自刷新(PASR)
  • 可选输出驱动强度(DS)
  • 时钟停止能力
  • 符合RoHS标准的“绿色”封装
  • 可编程VSS(ODT)终止
  • 单端CK和DQS支持

数据手册PDF