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STPSC4H065DI
650V功率碳化硅肖特基二极管
- 描述
- 650 V、4 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STPSC4H065DI
- 商品编号
- C191375
- 商品封装
- TO-220ACins
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 整流电流 | 4A | |
| 正向压降(Vf) | 1.75V@4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 40uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 38A | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ |
商品概述
SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计额定电压为650V的肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复现象，振铃模式可忽略不计。最小电容关断行为与温度无关。环氧树脂符合UL94 V0标准；推荐扭矩值0.55N·m；最大扭矩值0.7N·m；冷却方式：传导(C)。评估传导损耗可使用以下公式：P=1.35×I_F(AV)+0.288×I_F²(RMS)
商品特性
- 应用电流范围内无反向恢复电荷
- 开关行为与温度无关
- 高正向浪涌能力
- 绝缘封装TO-220AC Ins：绝缘电压2500V rms，典型封装电容7pF
应用领域
- 特别适用于PFC应用，在硬开关条件下可提升性能
- 瞬态阶段具有良好的鲁棒性（因高正向浪涌能力）