BLP15M9S100XY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 143mΩ@5.75V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700fF | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
一款用于广播和工业应用的10 W LDMOS驱动晶体管。该器件出色的耐用性使其非常适合用于从高频（HF）到2 GHz频率范围的数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 高效率
- 集成双面ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 卓越的可靠性
- 易于进行功率控制
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
- 连续波应用的射频功率放大器