商品参数
参数完善中
商品概述
适用于基站应用的850 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,频率范围为617 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻,提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容,可改善Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计,提供出色的数字预失真能力
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 用于617 MHz至960 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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适用于基站应用的850 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,频率范围为617 MHz至960 MHz。