- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 108V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ；80mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 11V |
商品概述
适用于基站应用的850 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,频率范围为617 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻,提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容,可改善Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计,提供出色的数字预失真能力
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 用于617 MHz至960 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器