- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BLP5LA55SGZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 173.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106.1pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 13V |
商品概述
这款13.6 V、55 W的器件专为陆地移动无线电(LMR)应用而设计,支持从高频(HF)到520 MHz的频率范围。
商品特性
- 高效率
- 集成双面静电放电(ESD)保护
- 极高的耐用性,VSWR为65:1
- 高功率增益
- 出色的可靠性
- 宽带
- 高线性度
应用领域
- VHF和UHF频段的TETRA、单边带(SSB)和长期演进(LTE)移动无线电应用
- 宽带无线电应用,频率范围为5 MHz至30 MHz以及30 MHz至512 MHz