BLP15M9S70GXY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@66mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 61pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450fF | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
适用于基站应用的300 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2170 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容，提高Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 用于2110 MHz至2170 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器