BLP15M9S30GXY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 34.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.39pF | |
| 输出电容(Coss) | 11.8pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 高效率
- 集成双面静电放电(ESD)保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 卓越的可靠性
- 易于进行功率控制
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
- 连续波(CW)应用的射频功率放大器