BLP15M9S30GXY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@33mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 34.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.39pF | |
| 输出电容(Coss) | 11.8pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 集成保护二极管，静电耐受性强
- 低导通电阻，导通损耗低
应用领域
- 汽车及通用功率开关