- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V；105V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ；80mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；2V | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 11V |
商品概述
适用于基站应用的600 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,工作频率范围为616 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻,具备出色的热稳定性
- 较低的输出电容,可提升Doherty应用的性能
- 低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 用于616 MHz至960 MHz频率范围基站和多载波应用的射频功率放大器
- BLC9H10XS-606AY
- BLC9H10XS-606AYZ
- BLF0910H9LS750PJ
- BLF944PU
- BLP0408H9S30XY
- BLP0427M9S20GXY
- BLP0427M9S20XY
- BLP15H9S100GXY
- BLP15H9S100XY
- BLP15H9S10GXY
- BLP15H9S10XY
- BLP15H9S30GXY
- BLP15H9S30XY
- BLP15M9S100GXY
- BLP15M9S100XY
- BLM10D1822-60ABGYZ
- BLM10D1822-61ABGYZ
- BLM10D2327-40ABX
- BLM10D2327-60ABGYZ
- BLM9D2327-26BX
- BLM9D3842-16AMZ